收藏本站
NTHD3102C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
N/P
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN?SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
Reverse Recovery Time
V SD
t RR
N
P
N
V GS = 0 V, T J = 25 ° C
I S = 1.7 A
I S = ?1.7 A
I S = 1.7 A
0.68
?0.7
13.5
1.2
?1.2
V
ns
P
I S = ?1.7 A
12.6
Charge Time
t a
N
I S = 1.7 A
8.6
Discharge Time
t b
P
N
V GS = 0 V,
dI S / dt = 100 A/ m s
I S = ?1.7 A
I S = 1.7 A
8.4
4.9
P
I S = ?1.7 A
4.2
Reverse Recovery Charge
Q RR
N
I S = 1.7 A
7.0
nC
P
http://onsemi.com
4
I S = ?1.7 A
6.0
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTHD3133PFT3G MOSFET P-CH SGL 20V CHIPFET
NTHD4102PT3G MOSFET P-CH DUAL 20V CHIPFET
NTHD4401PT3G MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
NTHD4502NT1 MOSFET N-CHAN DUAL 30V CHIPFET
NTHD4508NT1G MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET
NTHD4N02FT1G MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
NTHD4P02FT1G MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
NTHD5903T1G MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET
相关代理商/技术参数
NTHD3133PF 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, FETKY, P-Channel, -4.4 A, with 3.7 A Schottky Barrier Diode, ChipFET?
NTHD3133PFT1G 功能描述:MOSFET PFET FETKY 20V CHIPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD3133PFT3G 功能描述:MOSFET -20V -4.4A P-CHANNEL W/3.7A SCHOTTKY RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD4102P 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, -4.1 A, Dual P-Channel ChipFET
NTHD4102P_05 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, -4.1 A, Dual P-Channel ChipFET
NTHD4102PT1 功能描述:MOSFET -20V -4.1A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD4102PT1G 功能描述:MOSFET -20V -4.1A Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD4102PT3G 功能描述:MOSFET PFET 20V 4.8A 80M RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube